日本語
人気検索：
(0)
画像はあくまで参考です。
FDS8935
-
ON Semiconductor
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
- 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- MOSFET -80V Dual P-Channel PowerTrench MOSFET
Date Sheet
在庫數 15000
- 1+： $0.30442
- 10+： $0.28719
- 100+： $0.27093
- 500+： $0.25559
- 1000+： $0.24113
小計金額 $0.30442
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
- Factory Lead Time：11 Weeks
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- Number of Pins：8
- Weight：187mg
- Transistor Element Material：SILICON
- Number of Elements：2
- Turn Off Delay Time：22 ns
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Series：PowerTrench®
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：8
- ECCN Code：EAR99
- Max Power Dissipation：3.1W
- Terminal Form：GULL WING
- Element Configuration：Dual
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：3.1W
- Turn On Delay Time：5 ns
- Power - Max：1.6W
- FET Type：2 P-Channel (Dual)
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：183m Ω @ 2.1A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：3V @ 250μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：879pF @ 40V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：19nC @ 10V
- Rise Time：3ns
- Drain to Source Voltage (Vdss)：80V
- Fall Time (Typ)：3 ns
- Continuous Drain Current (ID)：2.1A
- Threshold Voltage：-1.8V
- Gate to Source Voltage (Vgs)：20V
- Drain to Source Breakdown Voltage：-80V
- FET Technology：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- FET Feature：Logic Level Gate
- Nominal Vgs：-1.8 V
- Feedback Cap-Max (Crss)：36 pF
- Height：1.5mm
- Length：4mm
- Width：5mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
在庫數 15000
- 1+： $0.30442
- 10+： $0.28719
- 100+： $0.27093
- 500+： $0.25559
- 1000+： $0.24113
小計金額 $0.30442
類似スペック製品
サポートセンター
購入サービス
プライバシーと規約
Kynix について
お問合せ
