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画像はあくまで参考です。
FDY2000PZ
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ON Semiconductor
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Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
- SOT-563, SOT-666
- MOSFET -20V Dual P-Channel Spec PwrTrch MOSFET
Date Sheet
在庫數 58000
- 1+： $0.29814
- 10+： $0.28127
- 100+： $0.26534
- 500+： $0.25032
- 1000+： $0.23616
小計金額 $0.29814
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 22 hours ago)
- Factory Lead Time：10 Weeks
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：SOT-563, SOT-666
- Number of Pins：6
- Weight：32mg
- Transistor Element Material：SILICON
- Number of Elements：2
- Turn Off Delay Time：8 ns
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Series：PowerTrench®
- Published：2006
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：6
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Tin (Sn)
- Max Power Dissipation：625mW
- Terminal Form：FLAT
- Element Configuration：Dual
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：630mW
- Turn On Delay Time：6 ns
- Power - Max：446mW
- FET Type：2 P-Channel (Dual)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：1.2 Ω @ 350mA, 4.5V
- Vgs(th) (Max) @ Id：1.5V @ 250μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：100pF @ 10V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：1.4nC @ 4.5V
- Rise Time：13ns
- Drain to Source Voltage (Vdss)：20V
- Fall Time (Typ)：13 ns
- Continuous Drain Current (ID)：350mA
- Threshold Voltage：-1.03V
- Gate to Source Voltage (Vgs)：8V
- Drain Current-Max (Abs) (ID)：0.35A
- Drain to Source Breakdown Voltage：-20V
- FET Technology：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- FET Feature：Logic Level Gate
- Height：600μm
- Length：1.7mm
- Width：1.2mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 58000
- 1+： $0.29814
- 10+： $0.28127
- 100+： $0.26534
- 500+： $0.25032
- 1000+： $0.23616
小計金額 $0.29814
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