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画像はあくまで参考です。
FDY101PZ
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ON Semiconductor
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Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- SC-89, SOT-490
- MOSFET -20VSgl P-Ch -2.5V Spec PwrTrch MOSFET
Date Sheet
在庫數 2517
- 1+： $0.52162
- 10+： $0.49210
- 100+： $0.46424
- 500+： $0.43796
- 1000+： $0.41317
小計金額 $0.52162
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 21 hours ago)
- Factory Lead Time：8 Weeks
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：SC-89, SOT-490
- Number of Pins：3
- Weight：30mg
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：150mA Ta
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：1.5V 4.5V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：625mW Ta
- Turn Off Delay Time：8 ns
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Series：PowerTrench®
- Published：2008
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Tin (Sn)
- Terminal Position：DUAL
- Terminal Form：FLAT
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：625mW
- Turn On Delay Time：6 ns
- FET Type：P-Channel
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：8 Ω @ 150mA, 4.5V
- Vgs(th) (Max) @ Id：1.5V @ 250μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：100pF @ 10V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：1.4nC @ 4.5V
- Rise Time：13ns
- Drain to Source Voltage (Vdss)：20V
- Vgs (Max)：±8V
- Fall Time (Typ)：13 ns
- Continuous Drain Current (ID)：150mA
- Threshold Voltage：-1V
- Gate to Source Voltage (Vgs)：8V
- Drain-source On Resistance-Max：8Ohm
- Drain to Source Breakdown Voltage：-20V
- Height：780μm
- Length：1.7mm
- Width：980μm
- REACH SVHC：No SVHC
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
在庫數 2517
- 1+： $0.52162
- 10+： $0.49210
- 100+： $0.46424
- 500+： $0.43796
- 1000+： $0.41317
小計金額 $0.52162
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