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画像はあくまで参考です。
FDS9934C
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ON Semiconductor
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Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
- 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- MOSFET 20V Complementary PowerTrench
Date Sheet
在庫數 10000
- 1+： $1.01780
- 10+： $0.96019
- 100+： $0.90584
- 500+： $0.85456
- 1000+： $0.80619
小計金額 $1.01780
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 5 hours ago)
- Factory Lead Time：18 Weeks
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- Number of Pins：8
- Weight：187mg
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：6.5A 5A
- Number of Elements：2
- Turn Off Delay Time：25 ns
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Published：2004
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：8
- Termination：SMD/SMT
- ECCN Code：EAR99
- Resistance：30MOhm
- Terminal Finish：Tin (Sn)
- Max Power Dissipation：2W
- Terminal Position：DUAL
- Terminal Form：GULL WING
- Current Rating：6.5A
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：2W
- Turn On Delay Time：16 ns
- Power - Max：900mW
- FET Type：N and P-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：30m Ω @ 6.5A, 4.5V
- Vgs(th) (Max) @ Id：1.5V @ 250μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：650pF @ 10V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：9nC @ 4.5V
- Rise Time：9ns
- Polarity/Channel Type：N-CHANNEL AND P-CHANNEL
- Fall Time (Typ)：9 ns
- Continuous Drain Current (ID)：6.5A
- Threshold Voltage：1V
- Gate to Source Voltage (Vgs)：12V
- Drain to Source Breakdown Voltage：20V
- Dual Supply Voltage：20V
- FET Technology：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- FET Feature：Logic Level Gate
- Nominal Vgs：1 V
- Height：1.575mm
- Length：4.9mm
- Width：3.9mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 10000
- 1+： $1.01780
- 10+： $0.96019
- 100+： $0.90584
- 500+： $0.85456
- 1000+： $0.80619
小計金額 $1.01780
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