日本語
人気検索：
(0)
画像はあくまで参考です。
FDS89161
-
ON Semiconductor
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
- 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- MOSFET 2N-CH 100V 2.7A 8-SOIC
Date Sheet
在庫數 15000
- 1+： $1.74503
- 10+： $1.64626
- 100+： $1.55307
- 500+： $1.46516
- 1000+： $1.38223
小計金額 $1.74503
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
- Factory Lead Time：11 Weeks
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- Number of Pins：8
- Weight：187mg
- Transistor Element Material：SILICON
- Number of Elements：2
- Turn Off Delay Time：7.3 ns
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Series：PowerTrench®
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：8
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Tin (Sn)
- Max Power Dissipation：31W
- Terminal Form：GULL WING
- Element Configuration：Dual
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：3.1W
- Turn On Delay Time：4.2 ns
- Power - Max：1.6W
- FET Type：2 N-Channel (Dual)
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：105m Ω @ 2.7A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：4V @ 250μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：210pF @ 50V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：4.1nC @ 10V
- Rise Time：1.3ns
- Drain to Source Voltage (Vdss)：100V
- Fall Time (Typ)：1.9 ns
- Continuous Drain Current (ID)：2.7A
- Threshold Voltage：3V
- Gate to Source Voltage (Vgs)：20V
- Drain-source On Resistance-Max：0.105Ohm
- Drain to Source Breakdown Voltage：100V
- FET Technology：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- FET Feature：Standard
- Feedback Cap-Max (Crss)：5 pF
- Height：1.5mm
- Length：4mm
- Width：5mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 15000
- 1+： $1.74503
- 10+： $1.64626
- 100+： $1.55307
- 500+： $1.46516
- 1000+： $1.38223
小計金額 $1.74503
類似スペック製品
サポートセンター
購入サービス
プライバシーと規約
Kynix について
お問合せ
