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FDS89141
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ON Semiconductor
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Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
- 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- MOSFET 100V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET
Date Sheet
在庫數 39225
- 1+： $4.94616
- 10+： $4.66618
- 100+： $4.40206
- 500+： $4.15289
- 1000+： $3.91782
小計金額 $4.94616
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
- Factory Lead Time：11 Weeks
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- Number of Pins：8
- Weight：187mg
- Transistor Element Material：SILICON
- Number of Elements：2
- Turn Off Delay Time：9.8 ns
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Series：PowerTrench®
- Published：2010
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：8
- ECCN Code：EAR99
- Resistance：62MOhm
- Terminal Finish：Tin (Sn)
- Additional Feature：ULTRA-LOW RESISTANCE
- Max Power Dissipation：31W
- Terminal Form：GULL WING
- Element Configuration：Dual
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：31W
- Turn On Delay Time：5 ns
- Power - Max：1.6W
- FET Type：2 N-Channel (Dual)
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：62m Ω @ 3.5A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：4V @ 250μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：398pF @ 50V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：7.1nC @ 10V
- Rise Time：1.4ns
- Drain to Source Voltage (Vdss)：100V
- Fall Time (Typ)：2.2 ns
- Continuous Drain Current (ID)：3.5A
- Threshold Voltage：3.1V
- Gate to Source Voltage (Vgs)：20V
- Drain to Source Breakdown Voltage：100V
- Avalanche Energy Rating (Eas)：37 mJ
- FET Technology：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- FET Feature：Logic Level Gate
- Height：1.5mm
- Length：4mm
- Width：5mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 39225
- 1+： $4.94616
- 10+： $4.66618
- 100+： $4.40206
- 500+： $4.15289
- 1000+： $3.91782
小計金額 $4.94616
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