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DMN2019UTS-13
-
Diodes Incorporated
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
- 8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)
- MOSFET 2N-CH 20V 5.4A TSSOP-8
Date Sheet
在庫數 3193
- 1+： $0.52885
- 10+： $0.49891
- 100+： $0.47067
- 500+： $0.44403
- 1000+： $0.41890
小計金額 $0.52885
仕様 よくある質問
- Factory Lead Time：16 Weeks
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)
- Number of Pins：8
- Weight：157.991892mg
- Turn Off Delay Time：562 ns
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Published：2009
- JESD-609 Code：e3
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- ECCN Code：EAR99
- Resistance：18.5mOhm
- Terminal Finish：Matte Tin (Sn)
- Max Power Dissipation：780mW
- Base Part Number：DMN2019
- Number of Channels：2
- Element Configuration：Dual
- Turn On Delay Time：53 ns
- FET Type：2 N-Channel (Dual) Common Drain
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：18.5m Ω @ 7A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：950mV @ 250μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：143pF @ 10V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：8.8nC @ 4.5V
- Rise Time：78ns
- Drain to Source Voltage (Vdss)：20V
- Fall Time (Typ)：234 ns
- Continuous Drain Current (ID)：5.4A
- Gate to Source Voltage (Vgs)：12V
- Drain to Source Breakdown Voltage：20V
- FET Technology：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- FET Feature：Logic Level Gate
- REACH SVHC：No SVHC
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 3193
- 1+： $0.52885
- 10+： $0.49891
- 100+： $0.47067
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