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画像はあくまで参考です。
DMN2040LTS-13
-
Diodes Incorporated
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
- 8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)
- MOSFET 2N-CH 20V 6.7A 8TSSOP
Date Sheet
在庫數 21460
- 1+： $0.66941
- 10+： $0.63152
- 100+： $0.59577
- 500+： $0.56205
- 1000+： $0.53023
小計金額 $0.66941
仕様 よくある質問
- Factory Lead Time：24 Weeks
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)
- Number of Pins：8
- Weight：157.991892mg
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：6.7A Ta
- Number of Elements：2
- Turn Off Delay Time：19.8 ns
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Series：Automotive, AEC-Q101
- Published：2009
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：8
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Matte Tin (Sn)
- Additional Feature：LOW THERSHOLD
- Max Power Dissipation：890mW
- Terminal Form：GULL WING
- Peak Reflow Temperature (Cel)：260
- Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：40
- Pin Count：8
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：890mW
- Turn On Delay Time：5.2 ns
- FET Type：2 N-Channel (Dual) Common Drain
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：26m Ω @ 6A, 4.5V
- Vgs(th) (Max) @ Id：1.2V @ 250μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：570pF @ 10V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：5.2nC @ 4.5V
- Rise Time：13.5ns
- Fall Time (Typ)：6.1 ns
- Continuous Drain Current (ID)：6.7A
- Gate to Source Voltage (Vgs)：12V
- Drain to Source Breakdown Voltage：20V
- FET Technology：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- FET Feature：Standard
- Height：1.025mm
- Length：4.5mm
- Width：3.1mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
在庫數 21460
- 1+： $0.66941
- 10+： $0.63152
- 100+： $0.59577
- 500+： $0.56205
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小計金額 $0.66941
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