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IRFB4332PBF
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Infineon Technologies
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Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-220-3
- MOSFET N-CH 250V 60A TO-220AB
Date Sheet
在庫數 80000
- 1+： $3.34344
- 10+： $3.15419
- 100+： $2.97565
- 500+： $2.80722
- 1000+： $2.64832
小計金額 $3.34344
仕様 よくある質問
- Factory Lead Time：12 Weeks
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-220-3
- Number of Pins：3
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：60A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：390W Tc
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：5V @ 250μA
- Operating Temperature：-40°C~175°C TJ
- Packaging：Tube
- Series：HEXFET®
- Published：2008
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- Termination：Through Hole
- ECCN Code：EAR99
- Resistance：33MOhm
- Voltage - Rated DC：250V
- Current Rating：60A
- Number of Channels：1
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：390W
- Case Connection：DRAIN
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：33m Ω @ 35A, 10V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：5860pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：150nC @ 10V
- Vgs (Max)：±30V
- Continuous Drain Current (ID)：60A
- Threshold Voltage：5V
- JEDEC-95 Code：TO-220AB
- Gate to Source Voltage (Vgs)：30V
- Drain to Source Breakdown Voltage：250V
- Dual Supply Voltage：250V
- Recovery Time：290 ns
- Max Junction Temperature (Tj)：175°C
- Nominal Vgs：5 V
- Height：19.8mm
- Length：10.66mm
- Width：4.82mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 80000
- 1+： $3.34344
- 10+： $3.15419
- 100+： $2.97565
- 500+： $2.80722
- 1000+： $2.64832
小計金額 $3.34344
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