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画像はあくまで参考です。
FDP61N20
-
ON Semiconductor
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-220-3
- Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 38.5A; 417W; TO220; UniFET™
Date Sheet
在庫數 5500
- 1+： $3.04434
- 10+： $2.87202
- 100+： $2.70945
- 500+： $2.55609
- 1000+： $2.41140
小計金額 $3.04434
仕様 よくある質問
- Factory Lead Time：7 Weeks
- Contact Plating：Tin
- Package / Case：TO-220-3
- Mounting Type：Through Hole
- Mount：Through Hole
- Number of Pins：3
- Weight：4.535924g
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：61A Tc
- Turn Off Delay Time：125 ns
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：5V @ 250μA
- Power Dissipation (Max)：417W Tc
- Number of Elements：1
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Published：2013
- Series：UniFET™
- Packaging：Tube
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Resistance：41MOhm
- Additional Feature：FAST SWITCHING
- Voltage - Rated DC：200V
- Current Rating：61A
- Voltage：200V
- Element Configuration：Single
- Current：61A
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：417W
- Turn On Delay Time：40 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：41m Ω @ 30.5A, 10V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：3380pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：75nC @ 10V
- Rise Time：215ns
- Vgs (Max)：±30V
- Fall Time (Typ)：170 ns
- Continuous Drain Current (ID)：6.1A
- Threshold Voltage：5V
- JEDEC-95 Code：TO-220AB
- Gate to Source Voltage (Vgs)：30V
- Drain to Source Breakdown Voltage：200V
- Width：4.83mm
- Length：10.67mm
- Height：9.4mm
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Radiation Hardening：No
- REACH SVHC：No SVHC
- Lead Free：Lead Free
在庫數 5500
- 1+： $3.04434
- 10+： $2.87202
- 100+： $2.70945
- 500+： $2.55609
- 1000+： $2.41140
小計金額 $3.04434
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