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STP33N60DM2
-
STMicroelectronics
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-220-3
- STMICROELECTRONICS STP33N60DM2 Power MOSFET, Mdmesh DM2, N Channel, 24 A, 600 V, 0.11 ohm, 10 V, 4 V
Date Sheet
在庫數 50
- 1+： $3.87340
- 10+： $3.65416
- 100+： $3.44732
- 500+： $3.25219
- 1000+： $3.06810
小計金額 $3.87340
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
- Factory Lead Time：17 Weeks
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-220-3
- Number of Pins：3
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：24A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：190W Tc
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tube
- Series：MDmesh™ DM2
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Position：SINGLE
- Peak Reflow Temperature (Cel)：NOT SPECIFIED
- Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：NOT SPECIFIED
- Base Part Number：STP33N
- Configuration：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Case Connection：DRAIN
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：130m Ω @ 12A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：5V @ 250μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：1870pF @ 100V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：43nC @ 10V
- Drain to Source Voltage (Vdss)：600V
- Vgs (Max)：±25V
- Continuous Drain Current (ID)：24A
- Threshold Voltage：4V
- JEDEC-95 Code：TO-220AB
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：96A
- DS Breakdown Voltage-Min：600V
- Avalanche Energy Rating (Eas)：570 mJ
- REACH SVHC：No SVHC
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
在庫數 50
- 1+： $3.87340
- 10+： $3.65416
- 100+： $3.44732
- 500+： $3.25219
- 1000+： $3.06810
小計金額 $3.87340
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