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STP35N60DM2
-
STMicroelectronics
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-220-3
- STMICROELECTRONICS STP35N60DM2 Power MOSFET, Mdmesh DM2, N Channel, 28 A, 600 V, 0.094 ohm, 10 V, 4 V
Date Sheet
在庫數 9200
- 1+： $4.22270
- 10+： $3.98368
- 100+： $3.75819
- 500+： $3.54546
- 1000+： $3.34478
小計金額 $4.22270
仕様 よくある質問
- Factory Lead Time：17 Weeks
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-220-3
- Number of Pins：3
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：5V @ 250μA
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：28A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Power Dissipation (Max)：210W Tc
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tube
- Series：MDmesh™ DM2
- Part Status：ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- ECCN Code：EAR99
- Peak Reflow Temperature (Cel)：NOT SPECIFIED
- Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：NOT SPECIFIED
- Base Part Number：STP35N
- FET Type：N-Channel
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：110m Ω @ 14A, 10V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：2400pF @ 100V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：54nC @ 10V
- Drain to Source Voltage (Vdss)：600V
- Vgs (Max)：±25V
- Continuous Drain Current (ID)：28A
- Threshold Voltage：4V
- REACH SVHC：No SVHC
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
在庫數 9200
- 1+： $4.22270
- 10+： $3.98368
- 100+： $3.75819
- 500+： $3.54546
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小計金額 $4.22270
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