FDC2512

ON Semiconductor
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
ON SEMICONDUCTOR - FDC2512 - Power MOSFET, N Channel, 150 V, 1.4 A, 0.319 ohm, SuperSOT, Surface Mount
Date Sheet

在庫數 1070

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10+： $0.94687
100+： $0.89328
500+： $0.84271
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小計金額 $1.00368

仕様よくある質問

Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
Factory Lead Time：15 Weeks
Contact Plating：Tin
Mount：Surface Mount
Mounting Type：Surface Mount
Package / Case：SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Number of Pins：6
Transistor Element Material：SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：1.4A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：6V 10V
Number of Elements：1
Power Dissipation (Max)：1.6W Ta
Turn Off Delay Time：22 ns
Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
Packaging：Tape & Reel (TR)
Series：PowerTrench®
Published：2017
JESD-609 Code：e3
Pbfree Code：yes
Part Status：Active
Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
Number of Terminations：6
Termination：SMD/SMT
ECCN Code：EAR99
Resistance：425MOhm
Voltage - Rated DC：150V
Terminal Position：DUAL
Terminal Form：GULL WING
Current Rating：1.4A
Number of Channels：1
Voltage：150V
Element Configuration：Single
Current：14A
Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
Power Dissipation：1.6W
Turn On Delay Time：6.5 ns
FET Type：N-Channel
Transistor Application：SWITCHING
Rds On (Max) @ Id, Vgs：425m Ω @ 1.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id：4V @ 250μA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：344pF @ 75V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：11nC @ 10V
Rise Time：3.5ns
Vgs (Max)：±20V
Fall Time (Typ)：4 ns
Continuous Drain Current (ID)：1.4A
Threshold Voltage：2.6V
Gate to Source Voltage (Vgs)：20V
Drain to Source Breakdown Voltage：150V
Dual Supply Voltage：150V
Max Junction Temperature (Tj)：150°C
Nominal Vgs：2.6 V
Height：1.1mm
Length：3mm
Width：1.7mm
REACH SVHC：No SVHC
Radiation Hardening：No
RoHS Status：ROHS3 Compliant
Lead Free：Lead Free

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