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STS7PF30L
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STMicroelectronics
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Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- P-Channel 30 V 0.021 Ohm Surface Mount STripFET II Power MosFet - SOIC-8
Date Sheet
在庫數 30000
- 1+： $3.32840
- 10+： $3.14000
- 100+： $2.96226
- 500+： $2.79459
- 1000+： $2.63640
小計金額 $3.32840
仕様 よくある質問
- Factory Lead Time：40 Weeks
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- Number of Pins：8
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：7A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：4.5V 10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：2.5W Tc
- Turn Off Delay Time：65 ns
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：2.5V @ 250μA
- Operating Temperature：150°C TJ
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Series：STripFET™ II
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：8
- ECCN Code：EAR99
- Resistance：21mOhm
- Voltage - Rated DC：-30V
- Terminal Position：DUAL
- Terminal Form：GULL WING
- Current Rating：-7A
- Base Part Number：STS7P
- Configuration：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Voltage：30V
- Current：7A
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：2.5W
- Turn On Delay Time：68 ns
- FET Type：P-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：21m Ω @ 3.5A, 10V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：2600pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：38nC @ 4.5V
- Rise Time：54ns
- Vgs (Max)：±20V
- Fall Time (Typ)：23 ns
- Continuous Drain Current (ID)：7A
- Gate to Source Voltage (Vgs)：20V
- Drain to Source Breakdown Voltage：-30V
- Height：1.25mm
- Length：5mm
- Width：4mm
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 30000
- 1+： $3.32840
- 10+： $3.14000
- 100+： $2.96226
- 500+： $2.79459
- 1000+： $2.63640
小計金額 $3.32840
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