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画像はあくまで参考です。
NDS331N
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ON Semiconductor
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Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Trans MOSFET N-CH 20V 1.3A 3-Pin SuperSOT T/R
Date Sheet
在庫數 46000
- 1+： $0.60855
- 10+： $0.57410
- 100+： $0.54160
- 500+： $0.51095
- 1000+： $0.48203
小計金額 $0.60855
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
- Factory Lead Time：10 Weeks
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Number of Pins：3
- Weight：30mg
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：1.3A Ta
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：2.7V 4.5V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：500mW Ta
- Turn Off Delay Time：10 ns
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Published：1998
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Resistance：160mOhm
- Terminal Finish：Tin (Sn)
- Voltage - Rated DC：20V
- Terminal Position：DUAL
- Terminal Form：GULL WING
- Current Rating：1.3A
- Number of Channels：1
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：500mW
- Turn On Delay Time：5 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：160m Ω @ 1.5A, 4.5V
- Vgs(th) (Max) @ Id：1V @ 250μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：162pF @ 10V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：5nC @ 4.5V
- Rise Time：25ns
- Vgs (Max)：±8V
- Fall Time (Typ)：5 ns
- Continuous Drain Current (ID)：1.3A
- Threshold Voltage：700mV
- Gate to Source Voltage (Vgs)：8V
- Drain to Source Breakdown Voltage：20V
- Max Junction Temperature (Tj)：150°C
- Nominal Vgs：700 mV
- Height：1.22mm
- Length：2.92mm
- Width：1.4mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 46000
- 1+： $0.60855
- 10+： $0.57410
- 100+： $0.54160
- 500+： $0.51095
- 1000+： $0.48203
小計金額 $0.60855
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