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画像はあくまで参考です。
FDMS3606AS
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ON Semiconductor
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
- 8-PowerTDFN
- DUAL N CH MOSFET, POWERTRENCH POWER STAGE, 30V, 40A, POWER56 - More Details
Date Sheet
在庫數 18000
- 1+： $3.14764
- 10+： $2.96947
- 100+： $2.80139
- 500+： $2.64282
- 1000+： $2.49322
小計金額 $3.14764
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
- Factory Lead Time：18 Weeks
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：8-PowerTDFN
- Number of Pins：8
- Weight：90mg
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：13A 27A
- Number of Elements：2
- Turn Off Delay Time：36 ns
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Series：PowerTrench®
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：7
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Tin (Sn)
- Max Power Dissipation：1W
- Terminal Position：QUAD
- JESD-30 Code：R-PQFP-N7
- Element Configuration：Dual
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：2.5W
- Case Connection：DRAIN SOURCE
- FET Type：2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：8m Ω @ 13A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：2.7V @ 250μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：1695pF @ 15V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：29nC @ 10V
- Rise Time：5.5ns
- Fall Time (Typ)：3.4 ns
- Continuous Drain Current (ID)：27A
- Threshold Voltage：2V
- Gate to Source Voltage (Vgs)：20V
- Drain Current-Max (Abs) (ID)：1.3A
- Drain to Source Breakdown Voltage：30V
- FET Technology：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- FET Feature：Logic Level Gate
- Feedback Cap-Max (Crss)：75 pF
- Height：1.05mm
- Length：5mm
- Width：6mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
在庫數 18000
- 1+： $3.14764
- 10+： $2.96947
- 100+： $2.80139
- 500+： $2.64282
- 1000+： $2.49322
小計金額 $3.14764
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