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画像はあくまで参考です。
FDSS2407
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ON Semiconductor
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Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
- 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- MOSFET SO8 DUAL PCH
Date Sheet
在庫數 300000
小計金額 $0.00000
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
- Factory Lead Time：5 Weeks
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- Number of Pins：8
- Weight：230.4mg
- Transistor Element Material：SILICON
- Number of Elements：2
- Turn Off Delay Time：8.7 μs
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Series：Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
- Published：2004
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：8
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Tin (Sn)
- Max Power Dissipation：2.27W
- Terminal Form：GULL WING
- Base Part Number：FDSS2407
- Element Configuration：Dual
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：2.27W
- Turn On Delay Time：630 ns
- FET Type：2 N-Channel (Dual)
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：110m Ω @ 3.3A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：3V @ 250μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：300pF @ 15V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：4.3nC @ 5V
- Rise Time：1.2μs
- Drain to Source Voltage (Vdss)：62V
- Fall Time (Typ)：3.5 μs
- Continuous Drain Current (ID)：3.3A
- Gate to Source Voltage (Vgs)：20V
- Drain Current-Max (Abs) (ID)：3A
- Drain-source On Resistance-Max：0.11Ohm
- Drain to Source Breakdown Voltage：62V
- Avalanche Energy Rating (Eas)：140 mJ
- FET Technology：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- FET Feature：Logic Level Gate
- Height：1.575mm
- Length：4.9mm
- Width：3.9mm
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
在庫數 300000
小計金額 $0.00000
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