日本語
人気検索：
(0)
画像はあくまで参考です。
FDS6670AS
-
ON Semiconductor
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- Trans MOSFET N-CH 30V 13.5A 8-Pin SOIC N T/R
Date Sheet
在庫數 4000
- 1+： $0.92280
- 10+： $0.87057
- 100+： $0.82129
- 500+： $0.77480
- 1000+： $0.73095
小計金額 $0.92280
仕様 よくある質問
- Factory Lead Time：18 Weeks
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- Contact Plating：Tin
- Number of Pins：8
- Weight：130mg
- Transistor Element Material：SILICON
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：4.5V 10V
- Number of Elements：1
- Turn Off Delay Time：27 ns
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：3V @ 1mA
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：13.5A Ta
- Power Dissipation (Max)：2.5W Ta
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Published：2005
- Series：PowerTrench®, SyncFET™
- JESD-609 Code：e4
- Pbfree Code：yes
- Part Status：ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：8
- ECCN Code：EAR99
- Resistance：9MOhm
- Terminal Finish：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
- Voltage - Rated DC：30V
- Terminal Position：DUAL
- Terminal Form：GULL WING
- Current Rating：13.5A
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：2.5W
- Turn On Delay Time：10 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：9m Ω @ 13.5A, 10V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：1540pF @ 15V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：38nC @ 10V
- Rise Time：5ns
- Vgs (Max)：±20V
- Fall Time (Typ)：18 ns
- Continuous Drain Current (ID)：13.5A
- Gate to Source Voltage (Vgs)：20V
- Drain to Source Breakdown Voltage：30V
- Height：1.5mm
- Length：5mm
- Width：4mm
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 4000
- 1+： $0.92280
- 10+： $0.87057
- 100+： $0.82129
- 500+： $0.77480
- 1000+： $0.73095
小計金額 $0.92280
類似スペック製品
サポートセンター
購入サービス
プライバシーと規約
Kynix について
お問合せ
