FDMC8327L

ON Semiconductor
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
8-PowerWDFN
ON SEMICONDUCTOR - FDMC8327L - MOSFET Transistor, N Channel, 14 A, 40 V, 0.0074 ohm, 10 V, 1.7 V
Date Sheet

在庫數 9000

1+： $1.01206
10+： $0.95478
100+： $0.90073
500+： $0.84975
1000+： $0.80165

小計金額 $1.01206

仕様よくある質問

Factory Lead Time：4 Weeks
Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 9 hours ago)
Package / Case：8-PowerWDFN
Mounting Type：Surface Mount
Mount：Surface Mount
Number of Pins：8
Weight：180mg
Transistor Element Material：SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：12A Ta 14A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：4.5V 10V
Turn Off Delay Time：20 ns
Power Dissipation (Max)：2.3W Ta 30W Tc
Number of Elements：1
Published：2017
Series：PowerTrench®
Packaging：Tape & Reel (TR)
Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
JESD-609 Code：e4
Pbfree Code：yes
Part Status：Active
Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
Number of Terminations：5
ECCN Code：EAR99
Terminal Finish：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
Terminal Position：DUAL
JESD-30 Code：S-PDSO-N5
Number of Channels：1
Element Configuration：Single
Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
Power Dissipation：2.3W
Case Connection：DRAIN
Turn On Delay Time：8.4 ns
FET Type：N-Channel
Transistor Application：SWITCHING
Rds On (Max) @ Id, Vgs：9.7m Ω @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id：3V @ 250μA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：1850pF @ 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：26nC @ 10V
Rise Time：2.2ns
Vgs (Max)：±20V
Fall Time (Typ)：2.2 ns
Continuous Drain Current (ID)：12A
Threshold Voltage：1.7V
JEDEC-95 Code：MO-240BA
Gate to Source Voltage (Vgs)：20V
Drain-source On Resistance-Max：0.0097Ohm
Drain to Source Breakdown Voltage：40V
Pulsed Drain Current-Max (IDM)：60A
Avalanche Energy Rating (Eas)：25 mJ
Max Junction Temperature (Tj)：150°C
Height：800μm
Width：3.3mm
Length：3.3mm
RoHS Status：ROHS3 Compliant
Radiation Hardening：No
REACH SVHC：No SVHC

在庫數 9000

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