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画像はあくまで参考です。
STP2NK90Z
-
STMicroelectronics
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-220-3
- MOSFET N-CH 900V 2.1A TO-220
Date Sheet
在庫數 7000
- 1+： $2.43551
- 10+： $2.29765
- 100+： $2.16760
- 500+： $2.04490
- 1000+： $1.92915
小計金額 $2.43551
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
- Factory Lead Time：12 Weeks
- Contact Plating：Tin
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-220-3
- Number of Pins：3
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：2.1A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：70W Tc
- Turn Off Delay Time：43 ns
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tube
- Series：SuperMESH™
- JESD-609 Code：e3
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Resistance：5Ohm
- Additional Feature：AVALANCHE RATED
- Voltage - Rated DC：900V
- Current Rating：2.1A
- Base Part Number：STP2N
- Pin Count：3
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：70W
- Turn On Delay Time：21 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：6.5 Ω @ 1.05A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：4.5V @ 50μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：485pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：27nC @ 10V
- Rise Time：11ns
- Vgs (Max)：±30V
- Fall Time (Typ)：40 ns
- Continuous Drain Current (ID)：2.1A
- Threshold Voltage：3.75V
- JEDEC-95 Code：TO-220AB
- Gate to Source Voltage (Vgs)：30V
- Drain to Source Breakdown Voltage：900V
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：8.4A
- Height：15.75mm
- Length：10.4mm
- Width：4.6mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 7000
- 1+： $2.43551
- 10+： $2.29765
- 100+： $2.16760
- 500+： $2.04490
- 1000+： $1.92915
小計金額 $2.43551
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