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画像はあくまで参考です。
FDP18N50
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ON Semiconductor
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Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-220-3
- Trans MOSFET N-CH 500V 18A 3-Pin(3 Tab) TO-220AB Tube
Date Sheet
在庫數 135800
- 1+： $3.05015
- 10+： $2.87750
- 100+： $2.71462
- 500+： $2.56096
- 1000+： $2.41600
小計金額 $3.05015
仕様 よくある質問
- Factory Lead Time：9 Weeks
- Contact Plating：Tin
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-220-3
- Number of Pins：3
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：18A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：5V @ 250μA
- Turn Off Delay Time：95 ns
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：235W Tc
- Published：2013
- Series：UniFET™
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tube
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Resistance：265MOhm
- Additional Feature：FAST SWITCHING
- Voltage - Rated DC：500V
- Current Rating：18A
- Voltage：500V
- Element Configuration：Single
- Current：18A
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：235W
- Turn On Delay Time：55 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：265m Ω @ 9A, 10V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：2860pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：60nC @ 10V
- Rise Time：165ns
- Vgs (Max)：±30V
- Fall Time (Typ)：90 ns
- Continuous Drain Current (ID)：18A
- Threshold Voltage：5V
- JEDEC-95 Code：TO-220AB
- Gate to Source Voltage (Vgs)：30V
- Drain to Source Breakdown Voltage：500V
- Avalanche Energy Rating (Eas)：945 mJ
- Width：4.7mm
- Height：9.4mm
- Length：10.1mm
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- REACH SVHC：No SVHC
- Lead Free：Lead Free
在庫數 135800
- 1+： $3.05015
- 10+： $2.87750
- 100+： $2.71462
- 500+： $2.56096
- 1000+： $2.41600
小計金額 $3.05015
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