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画像はあくまで参考です。
FDP20N50
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ON Semiconductor
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Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-220-3
- Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3 Tab) TO-220AB Rail
Date Sheet
在庫數 80000
- 1+： $2.74639
- 10+： $2.59093
- 100+： $2.44427
- 500+： $2.30592
- 1000+： $2.17540
小計金額 $2.74639
仕様 よくある質問
- Factory Lead Time：9 Weeks
- Contact Plating：Tin
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-220-3
- Number of Pins：3
- Weight：1.8g
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：20A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：250W Tc
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：5V @ 250μA
- Turn Off Delay Time：100 ns
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tube
- Published：2004
- Series：UniFET™
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Resistance：230MOhm
- Additional Feature：AVALANCHE RATED
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：250W
- Turn On Delay Time：95 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：230m Ω @ 10A, 10V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：3120pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：59.5nC @ 10V
- Rise Time：375ns
- Vgs (Max)：±30V
- Fall Time (Typ)：105 ns
- Continuous Drain Current (ID)：20A
- Threshold Voltage：5V
- JEDEC-95 Code：TO-220AB
- Gate to Source Voltage (Vgs)：30V
- Drain to Source Breakdown Voltage：500V
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：80A
- Height：9.4mm
- Length：10.1mm
- Width：4.7mm
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Radiation Hardening：No
- REACH SVHC：No SVHC
- Lead Free：Lead Free
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