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画像はあくまで参考です。
STF7NM80
-
STMicroelectronics
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-220-3 Full Pack
- MOSFET N-CH 800V 6.5A TO-220FP
Date Sheet
在庫數 310
- 1+： $2.63725
- 10+： $2.48797
- 100+： $2.34714
- 500+： $2.21428
- 1000+： $2.08895
小計金額 $2.63725
仕様 よくある質問
- Factory Lead Time：16 Weeks
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-220-3 Full Pack
- Number of Pins：3
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：6.5A Tc
- Turn Off Delay Time：35 ns
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：25W Tc
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：5V @ 250μA
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tube
- Series：MDmesh™
- JESD-609 Code：e3
- Part Status：ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Matte Tin (Sn) - annealed
- Base Part Number：STF7N
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：25W
- Case Connection：ISOLATED
- Turn On Delay Time：20 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：1.05 Ω @ 3.25A, 10V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：620pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：18nC @ 10V
- Rise Time：8ns
- Vgs (Max)：±30V
- Fall Time (Typ)：10 ns
- Continuous Drain Current (ID)：6.5A
- JEDEC-95 Code：TO-220AB
- Gate to Source Voltage (Vgs)：30V
- Drain to Source Breakdown Voltage：800V
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：26A
- Avalanche Energy Rating (Eas)：240 mJ
- Nominal Vgs：4 V
- Height：16.4mm
- Length：10.4mm
- Width：4.6mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
在庫數 310
- 1+： $2.63725
- 10+： $2.48797
- 100+： $2.34714
- 500+： $2.21428
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小計金額 $2.63725
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