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画像はあくまで参考です。
STF9NM60N
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STMicroelectronics
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Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-220-3 Full Pack
- MOSFET N-Ch 600V 0.47 Ohm 9A Mdmesh II PWR MO
Date Sheet
在庫數 1000
- 1+： $2.42665
- 10+： $2.28930
- 100+： $2.15971
- 500+： $2.03747
- 1000+： $1.92214
小計金額 $2.42665
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
- Factory Lead Time：16 Weeks
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-220-3 Full Pack
- Number of Pins：3
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：6.5A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：25W Tc
- Turn Off Delay Time：52.5 ns
- Operating Temperature：150°C TJ
- Packaging：Tube
- Series：MDmesh™ II
- JESD-609 Code：e3
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Resistance：745MOhm
- Terminal Finish：Matte Tin (Sn) - annealed
- Base Part Number：STF9
- Pin Count：3
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：25W
- Case Connection：ISOLATED
- Turn On Delay Time：28 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：745m Ω @ 3.25A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：4V @ 250μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：452pF @ 50V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：17.4nC @ 10V
- Rise Time：23ns
- Vgs (Max)：±25V
- Fall Time (Typ)：26.7 ns
- Continuous Drain Current (ID)：6.5A
- Threshold Voltage：3V
- JEDEC-95 Code：TO-220AB
- Gate to Source Voltage (Vgs)：25V
- Drain Current-Max (Abs) (ID)：9A
- Drain to Source Breakdown Voltage：600V
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：26A
- Height：16.4mm
- Length：10.4mm
- Width：4.6mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 1000
- 1+： $2.42665
- 10+： $2.28930
- 100+： $2.15971
- 500+： $2.03747
- 1000+： $1.92214
小計金額 $2.42665
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