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画像はあくまで参考です。
FDP52N20
-
ON Semiconductor
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-220-3
- MOSFET N-CH 200V 52A TO-220
Date Sheet
在庫數 3000
- 1+： $3.36732
- 10+： $3.17672
- 100+： $2.99691
- 500+： $2.82727
- 1000+： $2.66724
小計金額 $3.36732
仕様 よくある質問
- Factory Lead Time：4 Weeks
- Contact Plating：Tin
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-220-3
- Number of Pins：3
- Weight：1.8g
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：52A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：357W Tc
- Turn Off Delay Time：48 ns
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：5V @ 250μA
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tube
- Series：UniFET™
- Published：2007
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Resistance：49MOhm
- Additional Feature：AVALANCHE ENERGY RATED
- Voltage - Rated DC：200V
- Current Rating：52A
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：357W
- Turn On Delay Time：53 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：49m Ω @ 26A, 10V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：2900pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：63nC @ 10V
- Rise Time：175ns
- Vgs (Max)：±30V
- Fall Time (Typ)：29 ns
- Continuous Drain Current (ID)：52A
- Threshold Voltage：5V
- JEDEC-95 Code：TO-220AB
- Gate to Source Voltage (Vgs)：30V
- Drain to Source Breakdown Voltage：200V
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：208A
- Avalanche Energy Rating (Eas)：2520 mJ
- Height：9.4mm
- Length：10.1mm
- Width：4.7mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 3000
- 1+： $3.36732
- 10+： $3.17672
- 100+： $2.99691
- 500+： $2.82727
- 1000+： $2.66724
小計金額 $3.36732
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