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画像はあくまで参考です。
STW11NM80
-
STMicroelectronics
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-247-3
- MOSFET N-CH 800V 11A TO-247
Date Sheet
在庫數 600
- 1+： $12.59446
- 10+： $11.88157
- 100+： $11.20902
- 500+： $10.57455
- 1000+： $9.97599
小計金額 $12.59446
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
- Factory Lead Time：16 Weeks
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-247-3
- Number of Pins：3
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：11A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：150W Tc
- Turn Off Delay Time：46 ns
- Operating Temperature：-65°C~150°C TJ
- Packaging：Tube
- Series：MDmesh™
- JESD-609 Code：e3
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Resistance：400mOhm
- Terminal Finish：Tin (Sn)
- Additional Feature：ULTRA-LOW RESISTANCE
- Voltage - Rated DC：800V
- Current Rating：11A
- Base Part Number：STW11N
- Pin Count：3
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：150W
- Turn On Delay Time：22 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：400m Ω @ 5.5A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：5V @ 250μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：1630pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：43.6nC @ 10V
- Rise Time：17ns
- Vgs (Max)：±30V
- Fall Time (Typ)：15 ns
- Continuous Drain Current (ID)：5.5A
- Threshold Voltage：4V
- Gate to Source Voltage (Vgs)：30V
- Drain to Source Breakdown Voltage：800V
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：44A
- Avalanche Energy Rating (Eas)：400 mJ
- Height：20.15mm
- Length：15.75mm
- Width：5.15mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 600
- 1+： $12.59446
- 10+： $11.88157
- 100+： $11.20902
- 500+： $10.57455
- 1000+： $9.97599
小計金額 $12.59446
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