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STW13N95K3
-
STMicroelectronics
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-247-3
- Trans MOSFET N-CH 950V 10A 3-Pin(3 Tab) TO-247 Tube
Date Sheet
在庫數 1010
- 1+： $8.20008
- 10+： $7.73593
- 100+： $7.29804
- 500+： $6.88495
- 1000+： $6.49523
小計金額 $8.20008
仕様 よくある質問
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-247-3
- Number of Pins：3
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：10A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Turn Off Delay Time：50 ns
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：5V @ 100μA
- Power Dissipation (Max)：190W Tc
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tube
- Series：SuperMESH3™
- Part Status：NRND (Last Updated: 8 months ago)
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Resistance：850mOhm
- Additional Feature：ULTRA-LOW RESISTANCE
- Base Part Number：STW13N
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：190W
- Turn On Delay Time：18 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：850m Ω @ 5A, 10V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：1620pF @ 100V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：51nC @ 10V
- Rise Time：16ns
- Vgs (Max)：±30V
- Fall Time (Typ)：21 ns
- Continuous Drain Current (ID)：10A
- Threshold Voltage：4V
- Gate to Source Voltage (Vgs)：30V
- Drain to Source Breakdown Voltage：950V
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：40A
- Avalanche Energy Rating (Eas)：400 mJ
- Height：20.15mm
- Length：15.75mm
- Width：5.15mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 1010
- 1+： $8.20008
- 10+： $7.73593
- 100+： $7.29804
- 500+： $6.88495
- 1000+： $6.49523
小計金額 $8.20008
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