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画像はあくまで参考です。
RFD14N05L
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ON Semiconductor
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Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
- Transistor RFD14N05L Power MOSFET N-Channel 50 Volt 14 Amp TO-251AA
Date Sheet
在庫數 36000
- 1+： $0.73690
- 10+： $0.69519
- 100+： $0.65584
- 500+： $0.61872
- 1000+： $0.58370
小計金額 $0.73690
仕様 よくある質問
- Factory Lead Time：8 Weeks
- Contact Plating：Tin
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
- Number of Pins：3
- Weight：343.08mg
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：14A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：5V
- Number of Elements：1
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：2V @ 250μA
- Turn Off Delay Time：42 ns
- Power Dissipation (Max)：48W Tc
- Published：2004
- Packaging：Tube
- Operating Temperature：-55°C~175°C TJ
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Resistance：100mOhm
- Voltage - Rated DC：50V
- Current Rating：14A
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：48W
- Case Connection：DRAIN
- Turn On Delay Time：13 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：100m Ω @ 14A, 5V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：670pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：40nC @ 10V
- Rise Time：24ns
- Vgs (Max)：±10V
- Fall Time (Typ)：16 ns
- Continuous Drain Current (ID)：14A
- Threshold Voltage：2V
- Gate to Source Voltage (Vgs)：10V
- Drain to Source Breakdown Voltage：50V
- Recovery Time：125 ns
- Height：6.3mm
- Length：6.8mm
- Width：2.5mm
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Radiation Hardening：No
- REACH SVHC：No SVHC
- Lead Free：Lead Free
在庫數 36000
- 1+： $0.73690
- 10+： $0.69519
- 100+： $0.65584
- 500+： $0.61872
- 1000+： $0.58370
小計金額 $0.73690
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