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画像はあくまで参考です。
RFD14N05
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ON Semiconductor
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Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
- MOSFET N-CH 50V 14A I-PAK
Date Sheet
在庫數 4400
小計金額 $0.00000
仕様 よくある質問
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
- Number of Pins：3
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：14A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：48W Tc
- Turn Off Delay Time：45 ns
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：4V @ 250μA
- Operating Temperature：-55°C~175°C TJ
- Packaging：Tube
- Published：2002
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Obsolete
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Resistance：100mOhm
- Terminal Finish：Tin (Sn)
- Voltage - Rated DC：50V
- Current Rating：14A
- Lead Length：9.65mm
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：48W
- Case Connection：DRAIN
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：100m Ω @ 14A, 10V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：570pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：40nC @ 20V
- Rise Time：26ns
- Vgs (Max)：±20V
- Fall Time (Typ)：17 ns
- Continuous Drain Current (ID)：14A
- Threshold Voltage：4V
- Gate to Source Voltage (Vgs)：20V
- Drain to Source Breakdown Voltage：50V
- REACH SVHC：No SVHC
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：RoHS Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 4400
小計金額 $0.00000
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