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画像はあくまで参考です。
STD7NM60N
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STMicroelectronics
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Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- MOSFET N-channel 600 V5 A 0.84 Ohm DPAK
Date Sheet
在庫數 5000
小計金額 $0.00000
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
- Factory Lead Time：16 Weeks
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Number of Pins：3
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：5A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：45W Tc
- Turn Off Delay Time：26 ns
- Operating Temperature：150°C TJ
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Series：MDmesh™ II
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：2
- ECCN Code：EAR99
- Resistance：900mOhm
- Terminal Form：GULL WING
- Base Part Number：STD7
- Pin Count：3
- JESD-30 Code：R-PSSO-G2
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：45W
- Turn On Delay Time：7 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：900m Ω @ 2.5A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：4V @ 250μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：363pF @ 50V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：14nC @ 10V
- Rise Time：10ns
- Vgs (Max)：±25V
- Fall Time (Typ)：12 ns
- Continuous Drain Current (ID)：5A
- Threshold Voltage：3V
- Gate to Source Voltage (Vgs)：25V
- Drain Current-Max (Abs) (ID)：5A
- Drain to Source Breakdown Voltage：600V
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：20A
- Avalanche Energy Rating (Eas)：119 mJ
- Height：2.4mm
- Length：6.6mm
- Width：6.2mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
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小計金額 $0.00000
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