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STF10P6F6
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STMicroelectronics
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-220-3 Full Pack
- MOSFET P-CH 60V 10A TO-220FP
Date Sheet
在庫數 998
小計金額 $0.00000
仕様 よくある質問
- Package / Case：TO-220-3 Full Pack
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Number of Pins：3
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：10A Tc
- Power Dissipation (Max)：20W Tc
- Turn Off Delay Time：14 ns
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：4V @ 250μA
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Operating Temperature：150°C TJ
- Packaging：Tube
- Series：DeepGATE™, STripFET™ VI
- Part Status：Obsolete
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Base Part Number：STF10P
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：20W
- Case Connection：DRAIN
- Turn On Delay Time：64 ns
- FET Type：P-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：160m Ω @ 5A, 10V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：340pF @ 48V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：6.4nC @ 10V
- Rise Time：5.3ns
- Vgs (Max)：±20V
- Fall Time (Typ)：3.7 ns
- Continuous Drain Current (ID)：10A
- JEDEC-95 Code：TO-251
- Gate to Source Voltage (Vgs)：20V
- Drain Current-Max (Abs) (ID)：7.2A
- Drain-source On Resistance-Max：0.16Ohm
- Drain to Source Breakdown Voltage：60V
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：40A
- Avalanche Energy Rating (Eas)：80 mJ
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
在庫數 998
小計金額 $0.00000
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