日本語
人気検索：
(0)
画像はあくまで参考です。
FQU5N60CTU
-
ON Semiconductor
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
- MOSFET N-CH 600V 2.8A IPAK
Date Sheet
在庫數 138
小計金額 $0.00000
仕様 よくある質問
- Factory Lead Time：4 Weeks
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
- Package / Case：TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
- Mounting Type：Through Hole
- Mount：Through Hole
- Number of Pins：3
- Weight：343.08mg
- Transistor Element Material：SILICON
- Power Dissipation (Max)：2.5W Ta 49W Tc
- Turn Off Delay Time：38 ns
- Number of Elements：1
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：2.8A Tc
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tube
- Series：QFET®
- Published：2013
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Resistance：2.5Ohm
- Terminal Finish：Tin (Sn)
- Voltage - Rated DC：600V
- Current Rating：5A
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：2.5W
- Turn On Delay Time：10 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：2.5 Ω @ 1.4A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：4V @ 250μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：670pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：19nC @ 10V
- Rise Time：42ns
- Vgs (Max)：±30V
- Fall Time (Typ)：46 ns
- Continuous Drain Current (ID)：2.8A
- Gate to Source Voltage (Vgs)：30V
- Drain to Source Breakdown Voltage：600V
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 138
小計金額 $0.00000
類似スペック製品
サポートセンター
購入サービス
プライバシーと規約
Kynix について
お問合せ
