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STF4N52K3
-
STMicroelectronics
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-220-3 Full Pack
- MOSFET N-CH 525V 2.5A TO-220FP
Date Sheet
在庫數 1679
- 1+： $1.38718
- 10+： $1.30866
- 100+： $1.23458
- 500+： $1.16470
- 1000+： $1.09878
小計金額 $1.38718
仕様 よくある質問
- Mount：Surface Mount, Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-220-3 Full Pack
- Number of Pins：3
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：2.5A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：20W Tc
- Turn Off Delay Time：21 ns
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：4.5V @ 50μA
- Operating Temperature：150°C TJ
- Packaging：Tube
- Series：SuperMESH3™
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Obsolete
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：2
- ECCN Code：EAR99
- Resistance：2.6Ohm
- Terminal Finish：Matte Tin (Sn) - annealed
- Additional Feature：ULTRA-LOW RESISTANCE
- Terminal Form：GULL WING
- Base Part Number：STF4N
- JESD-30 Code：R-PSSO-G2
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：20W
- Turn On Delay Time：8 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：2.6 Ω @ 1.25A, 10V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：334pF @ 100V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：11nC @ 10V
- Rise Time：7ns
- Vgs (Max)：±30V
- Fall Time (Typ)：14 ns
- Continuous Drain Current (ID)：2.5A
- Threshold Voltage：3.75V
- JEDEC-95 Code：TO-252
- Gate to Source Voltage (Vgs)：30V
- Drain to Source Breakdown Voltage：525V
- Height：2.4mm
- Length：7mm
- Width：6.6mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 1679
- 1+： $1.38718
- 10+： $1.30866
- 100+： $1.23458
- 500+： $1.16470
- 1000+： $1.09878
小計金額 $1.38718
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