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STI55NF03L
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STMicroelectronics
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
- MOSFET N-CH 30V 55A I2PAK
Date Sheet
在庫數 905
- 1+： $1.37820
- 10+： $1.30019
- 100+： $1.22659
- 500+： $1.15716
- 1000+： $1.09166
小計金額 $1.37820
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
- Factory Lead Time：12 Weeks
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：55A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：4.5V 10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：80W Tc
- Operating Temperature：-60°C~175°C TJ
- Packaging：Tube
- Series：STripFET™ II
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Position：SINGLE
- Peak Reflow Temperature (Cel)：NOT SPECIFIED
- Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：NOT SPECIFIED
- Base Part Number：STI55N
- Pin Count：3
- JESD-30 Code：R-PSIP-T3
- Configuration：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Case Connection：DRAIN
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：13m Ω @ 27.5A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：2.5V @ 250μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：1265pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：27nC @ 4.5V
- Drain to Source Voltage (Vdss)：30V
- Vgs (Max)：±16V
- Continuous Drain Current (ID)：55A
- Drain-source On Resistance-Max：0.02Ohm
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：220A
- DS Breakdown Voltage-Min：30V
- Avalanche Energy Rating (Eas)：120 mJ
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
在庫數 905
- 1+： $1.37820
- 10+： $1.30019
- 100+： $1.22659
- 500+： $1.15716
- 1000+： $1.09166
小計金額 $1.37820
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