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画像はあくまで参考です。
STL25N15F3
-
STMicroelectronics
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- 8-PowerVDFN
- MOSFET N-CH 150V 6A POWERFLAT
Date Sheet
在庫數 3263
- 1+： $1.64842
- 10+： $1.55512
- 100+： $1.46709
- 500+： $1.38405
- 1000+： $1.30570
小計金額 $1.64842
仕様 よくある質問
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：8-PowerVDFN
- Number of Pins：8
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：25A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：80W Tc
- Turn Off Delay Time：46 ns
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Series：STripFET™ III
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Obsolete
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：5
- ECCN Code：EAR99
- Resistance：57MOhm
- Terminal Finish：Matte Tin (Sn) - annealed
- Terminal Position：DUAL
- Peak Reflow Temperature (Cel)：260
- Base Part Number：STL25
- Pin Count：8
- JESD-30 Code：R-XDSO-N5
- Configuration：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：80W
- Case Connection：DRAIN
- Turn On Delay Time：9 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：57m Ω @ 3A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：4V @ 250μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：1300pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：29nC @ 10V
- Rise Time：13ns
- Vgs (Max)：±20V
- Fall Time (Typ)：20 ns
- Continuous Drain Current (ID)：25A
- Gate to Source Voltage (Vgs)：20V
- Drain Current-Max (Abs) (ID)：6A
- Drain to Source Breakdown Voltage：150V
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：24A
- Avalanche Energy Rating (Eas)：300 mJ
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 3263
- 1+： $1.64842
- 10+： $1.55512
- 100+： $1.46709
- 500+： $1.38405
- 1000+： $1.30570
小計金額 $1.64842
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