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画像はあくまで参考です。
STP35NF10
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STMicroelectronics
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-220-3
- Trans MOSFET N-CH 100V 40A 3-Pin(3 Tab) TO-220 Tube
Date Sheet
在庫數 100
- 1+： $1.26001
- 10+： $1.18869
- 100+： $1.12140
- 500+： $1.05793
- 1000+： $0.99805
小計金額 $1.26001
仕様 よくある質問
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-220-3
- Number of Pins：3
- Weight：4.535924g
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：40A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：115W Tc
- Turn Off Delay Time：60 ns
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：4V @ 250μA
- Operating Temperature：-55°C~175°C TJ
- Packaging：Tube
- Series：STripFET™ II
- JESD-609 Code：e3
- Part Status：NRND (Last Updated: 8 months ago)
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Resistance：35mOhm
- Terminal Finish：Matte Tin (Sn)
- Voltage - Rated DC：100V
- Current Rating：40A
- Base Part Number：STP35N
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：115W
- Case Connection：DRAIN
- Turn On Delay Time：17 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：35m Ω @ 17.5A, 10V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：1550pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：55nC @ 10V
- Rise Time：60ns
- Vgs (Max)：±20V
- Fall Time (Typ)：15 ns
- Continuous Drain Current (ID)：40A
- Threshold Voltage：3V
- JEDEC-95 Code：TO-220AB
- Gate to Source Voltage (Vgs)：20V
- Drain to Source Breakdown Voltage：100V
- Height：9.15mm
- Length：10.4mm
- Width：4.6mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 100
- 1+： $1.26001
- 10+： $1.18869
- 100+： $1.12140
- 500+： $1.05793
- 1000+： $0.99805
小計金額 $1.26001
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