STP24NF10

STMicroelectronics
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
TO-220-3
MOSFET N-CH 100V 26A TO-220
Date Sheet

在庫數 14057

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10+： $1.47869
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仕様よくある質問

Factory Lead Time：12 Weeks
Mount：Through Hole
Mounting Type：Through Hole
Package / Case：TO-220-3
Number of Pins：3
Weight：4.535924g
Transistor Element Material：SILICON
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
Number of Elements：1
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：26A Tc
Power Dissipation (Max)：85W Tc
Turn Off Delay Time：50 ns
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：4V @ 250μA
Operating Temperature：-55°C~175°C TJ
Packaging：Tube
Series：STripFET™ II
JESD-609 Code：e3
Part Status：ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
Number of Terminations：3
ECCN Code：EAR99
Resistance：60mOhm
Terminal Finish：Matte Tin (Sn)
Voltage - Rated DC：100V
Current Rating：26A
Base Part Number：STP24N
Number of Channels：1
Element Configuration：Single
Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
Power Dissipation：85W
Case Connection：DRAIN
Turn On Delay Time：60 ns
FET Type：N-Channel
Transistor Application：SWITCHING
Rds On (Max) @ Id, Vgs：60m Ω @ 12A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：870pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：41nC @ 10V
Rise Time：45ns
Vgs (Max)：±20V
Fall Time (Typ)：20 ns
Continuous Drain Current (ID)：26A
Threshold Voltage：2V
JEDEC-95 Code：TO-220AB
Gate to Source Voltage (Vgs)：20V
Drain Current-Max (Abs) (ID)：24A
Drain to Source Breakdown Voltage：100V
Avalanche Energy Rating (Eas)：220 mJ
Max Junction Temperature (Tj)：175°C
Height：19.68mm
Length：10.4mm
Width：4.6mm
REACH SVHC：No SVHC
Radiation Hardening：No
RoHS Status：ROHS3 Compliant
Lead Free：Lead Free

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