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STP110N8F6
-
STMicroelectronics
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-220-3
- Single N-Channel 80 V 200 W 150 nC Silicon Through Hole Mosfet - TO-220-3
Date Sheet
在庫數 50000
- 1+： $1.83264
- 10+： $1.72891
- 100+： $1.63104
- 500+： $1.53872
- 1000+： $1.45162
小計金額 $1.83264
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
- Factory Lead Time：20 Weeks
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-220-3
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：110A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：200W Tc
- Operating Temperature：-55°C~175°C TJ
- Packaging：Tube
- Series：STripFET™ F6
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Position：SINGLE
- Peak Reflow Temperature (Cel)：NOT SPECIFIED
- Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：NOT SPECIFIED
- Base Part Number：STP110
- JESD-30 Code：R-PSFM-T3
- Configuration：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Case Connection：DRAIN
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：6.5m Ω @ 55A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：4.5V @ 250μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：9130pF @ 40V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：150nC @ 10V
- Drain to Source Voltage (Vdss)：80V
- Vgs (Max)：±20V
- Continuous Drain Current (ID)：110A
- JEDEC-95 Code：TO-220AB
- Drain-source On Resistance-Max：0.0065Ohm
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：440A
- DS Breakdown Voltage-Min：80V
- Avalanche Energy Rating (Eas)：180 mJ
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
在庫數 50000
- 1+： $1.83264
- 10+： $1.72891
- 100+： $1.63104
- 500+： $1.53872
- 1000+： $1.45162
小計金額 $1.83264
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