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画像はあくまで参考です。
STP9N65M2
-
STMicroelectronics
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-220-3
- STMICROELECTRONICS STP9N65M2 Power MOSFET, N Channel, 5 A, 650 V, 0.79 ohm, 10 V, 3 V
Date Sheet
在庫數 1990
- 1+： $2.08060
- 10+： $1.96283
- 100+： $1.85173
- 500+： $1.74691
- 1000+： $1.64803
小計金額 $2.08060
仕様 よくある質問
- Factory Lead Time：16 Weeks
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-220-3
- Number of Pins：3
- Weight：329.988449mg
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：5A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Power Dissipation (Max)：60W Tc
- Turn Off Delay Time：22.5 ns
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：4V @ 250μA
- Operating Temperature：150°C TJ
- Packaging：Tube
- Series：MDmesh™
- Part Status：ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- ECCN Code：EAR99
- Peak Reflow Temperature (Cel)：NOT SPECIFIED
- Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：NOT SPECIFIED
- Base Part Number：STP9N
- Number of Channels：1
- Turn On Delay Time：7.5 ns
- FET Type：N-Channel
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：900m Ω @ 2.5A, 10V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：315pF @ 100V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：10nC @ 10V
- Rise Time：6.6ns
- Vgs (Max)：±25V
- Fall Time (Typ)：18 ns
- Continuous Drain Current (ID)：5A
- Threshold Voltage：3V
- Gate to Source Voltage (Vgs)：25V
- Drain to Source Breakdown Voltage：650V
- REACH SVHC：No SVHC
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
在庫數 1990
- 1+： $2.08060
- 10+： $1.96283
- 100+： $1.85173
- 500+： $1.74691
- 1000+： $1.64803
小計金額 $2.08060
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