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画像はあくまで参考です。
STP75N3LLH6
-
STMicroelectronics
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-220-3
- Trans MOSFET N-CH 30V 75A 3-Pin(3 Tab) TO-220 Tube
Date Sheet
在庫數 1651
- 1+： $1.45252
- 10+： $1.37031
- 100+： $1.29274
- 500+： $1.21957
- 1000+： $1.15054
小計金額 $1.45252
仕様 よくある質問
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-220-3
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：75A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：4.5V 10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：60W Tc
- Turn Off Delay Time：37 ns
- Operating Temperature：-55°C~175°C TJ
- Packaging：Tube
- Series：DeepGATE™, STripFET™ VI
- Part Status：Obsolete
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Position：SINGLE
- Base Part Number：STP75N
- Pin Count：3
- JESD-30 Code：R-PSFM-T3
- Configuration：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：60W
- Case Connection：DRAIN
- Turn On Delay Time：9.5 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：5.9m Ω @ 37.5A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：2.5V @ 250μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：2030pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：23.8nC @ 4.5V
- Rise Time：30ns
- Drain to Source Voltage (Vdss)：30V
- Vgs (Max)：±20V
- Fall Time (Typ)：12 ns
- Continuous Drain Current (ID)：75A
- JEDEC-95 Code：TO-220AB
- Gate to Source Voltage (Vgs)：20V
- Drain-source On Resistance-Max：0.0084Ohm
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：300A
- DS Breakdown Voltage-Min：30V
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 1651
- 1+： $1.45252
- 10+： $1.37031
- 100+： $1.29274
- 500+： $1.21957
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小計金額 $1.45252
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