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STFI13NK60Z
-
STMicroelectronics
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-262-3 Full Pack, I2Pak
- MOSFET N-Ch 600V 0.48 Ohm 13A SuperMESH
Date Sheet
在庫數 1500
- 1+： $3.72598
- 10+： $3.51508
- 100+： $3.31611
- 500+： $3.12841
- 1000+： $2.95133
小計金額 $3.72598
仕様 よくある質問
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-262-3 Full Pack, I2Pak
- Mount：Through Hole
- Number of Pins：3
- Transistor Element Material：SILICON
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：35W Tc
- Turn Off Delay Time：61 ns
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：4.5V @ 100μA
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：13A Tc
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tube
- Series：SuperMESH™
- Part Status：Obsolete
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：Not Applicable
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Position：SINGLE
- Base Part Number：STFI13N
- Configuration：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：35W
- Case Connection：ISOLATED
- Turn On Delay Time：22 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：550m Ω @ 4.5A, 10V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：2030pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：92nC @ 10V
- Rise Time：14ns
- Vgs (Max)：±30V
- Fall Time (Typ)：21 ns
- Continuous Drain Current (ID)：13A
- Gate to Source Voltage (Vgs)：30V
- Drain-source On Resistance-Max：0.55Ohm
- Drain to Source Breakdown Voltage：600V
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：52A
- Avalanche Energy Rating (Eas)：400 mJ
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
在庫數 1500
- 1+： $3.72598
- 10+： $3.51508
- 100+： $3.31611
- 500+： $3.12841
- 1000+： $2.95133
小計金額 $3.72598
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