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STFI10NK60Z
-
STMicroelectronics
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-262-3 Full Pack, I2Pak
- MOSFET N-Ch 600V 0.65 Ohm 10A SuperMESH
Date Sheet
在庫數 1177
- 1+： $2.36886
- 10+： $2.23477
- 100+： $2.10827
- 500+： $1.98894
- 1000+： $1.87636
小計金額 $2.36886
仕様 よくある質問
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-262-3 Full Pack, I2Pak
- Number of Pins：3
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：10A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：35W Tc
- Turn Off Delay Time：55 ns
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：4.5V @ 250μA
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tube
- Series：SuperMESH™
- JESD-609 Code：e3
- Part Status：Obsolete
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Matte Tin (Sn) - annealed
- Terminal Position：SINGLE
- Base Part Number：STFI10N
- Configuration：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：35W
- Case Connection：ISOLATED
- Turn On Delay Time：20 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：750m Ω @ 4.5A, 10V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：1370pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：70nC @ 10V
- Rise Time：20ns
- Vgs (Max)：±30V
- Fall Time (Typ)：30 ns
- Continuous Drain Current (ID)：10A
- Gate to Source Voltage (Vgs)：30V
- Drain-source On Resistance-Max：0.75Ohm
- Drain to Source Breakdown Voltage：600V
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
在庫數 1177
- 1+： $2.36886
- 10+： $2.23477
- 100+： $2.10827
- 500+： $1.98894
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