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画像はあくまで参考です。
STP12NK80Z
-
STMicroelectronics
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-220-3
- Trans MOSFET N-CH 800V 10.5A 3-Pin(3 Tab) TO-220 Tube
Date Sheet
在庫數 9000
- 1+： $4.06688
- 10+： $3.83668
- 100+： $3.61951
- 500+： $3.41463
- 1000+： $3.22135
小計金額 $4.06688
仕様 よくある質問
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-220-3
- Number of Pins：3
- Transistor Element Material：SILICON
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：190W Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：10.5A Tc
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：4.5V @ 100μA
- Turn Off Delay Time：70 ns
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tube
- Series：SuperMESH™
- JESD-609 Code：e3
- Part Status：NRND (Last Updated: 8 months ago)
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Resistance：750mOhm
- Terminal Finish：Tin (Sn)
- Voltage - Rated DC：800V
- Current Rating：10.5A
- Base Part Number：STP12
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：190W
- Turn On Delay Time：30 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：750m Ω @ 5.25A, 10V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：2620pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：87nC @ 10V
- Rise Time：18ns
- Vgs (Max)：±30V
- Fall Time (Typ)：20 ns
- Continuous Drain Current (ID)：10.5A
- Threshold Voltage：3.75V
- JEDEC-95 Code：TO-220AB
- Gate to Source Voltage (Vgs)：30V
- Drain to Source Breakdown Voltage：800V
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：42A
- Avalanche Energy Rating (Eas)：400 mJ
- Length：10.4mm
- Height：9.15mm
- Width：4.6mm
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Radiation Hardening：No
- REACH SVHC：No SVHC
- Lead Free：Lead Free
在庫數 9000
- 1+： $4.06688
- 10+： $3.83668
- 100+： $3.61951
- 500+： $3.41463
- 1000+： $3.22135
小計金額 $4.06688
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