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画像はあくまで参考です。
STP130N10F3
-
STMicroelectronics
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-220-3
- MOSFET N-CH 100V 120A TO-220
Date Sheet
在庫數 26243
- 1+： $3.73808
- 10+： $3.52649
- 100+： $3.32688
- 500+： $3.13856
- 1000+： $2.96091
小計金額 $3.73808
仕様 よくある質問
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-220-3
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：120A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：250W Tc
- Turn Off Delay Time：52 ns
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：4V @ 250μA
- Operating Temperature：-55°C~175°C TJ
- Packaging：Tube
- Series：STripFET™ III
- Part Status：Obsolete
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：Not Applicable
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Resistance：9.6MOhm
- Additional Feature：ULTRA LOW RESISTANCE
- Terminal Position：SINGLE
- Base Part Number：STP130
- JESD-30 Code：R-PSFM-T3
- Configuration：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：250W
- Turn On Delay Time：17 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：9.6m Ω @ 60A, 10V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：3305pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：57nC @ 10V
- Rise Time：38ns
- Vgs (Max)：±20V
- Fall Time (Typ)：7.2 ns
- Continuous Drain Current (ID)：120A
- JEDEC-95 Code：TO-220AB
- Gate to Source Voltage (Vgs)：20V
- Drain to Source Breakdown Voltage：100V
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：450A
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 26243
- 1+： $3.73808
- 10+： $3.52649
- 100+： $3.32688
- 500+： $3.13856
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