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STP120NF10
-
STMicroelectronics
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-220-3
- Trans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(3 Tab) TO-220 Tube
Date Sheet
在庫數 5000
- 1+： $2.04864
- 10+： $1.93268
- 100+： $1.82328
- 500+： $1.72008
- 1000+： $1.62271
小計金額 $2.04864
仕様 よくある質問
- Factory Lead Time：12 Weeks
- Package / Case：TO-220-3
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Number of Pins：3
- Weight：4.535924g
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：110A Tc
- Power Dissipation (Max)：312W Tc
- Turn Off Delay Time：132 ns
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：4V @ 250μA
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Operating Temperature：-55°C~175°C TJ
- Packaging：Tube
- Series：STripFET™ II
- JESD-609 Code：e3
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Resistance：10.5mOhm
- Terminal Finish：Matte Tin (Sn)
- Additional Feature：AVALANCHE RATED
- Voltage - Rated DC：100V
- Current Rating：120A
- Base Part Number：STP120
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：312W
- Case Connection：DRAIN
- Turn On Delay Time：25 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：10.5m Ω @ 60A, 10V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：5200pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：233nC @ 10V
- Rise Time：90ns
- Vgs (Max)：±20V
- Fall Time (Typ)：68 ns
- Continuous Drain Current (ID)：110A
- Threshold Voltage：4V
- JEDEC-95 Code：TO-220AB
- Gate to Source Voltage (Vgs)：20V
- Drain to Source Breakdown Voltage：100V
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：440A
- Avalanche Energy Rating (Eas)：550 mJ
- Width：4.6mm
- Height：9.15mm
- Length：10.4mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 5000
- 1+： $2.04864
- 10+： $1.93268
- 100+： $1.82328
- 500+： $1.72008
- 1000+： $1.62271
小計金額 $2.04864
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