日本語
人気検索：
(0)
画像はあくまで参考です。
STV200N55F3
-
STMicroelectronics
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
- MOSFET N-CH 55V 200A POWERSO-10
Date Sheet
在庫數 265
小計金額 $0.00000
仕様 よくある質問
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
- Number of Pins：10
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：200A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：300W Tc
- Turn Off Delay Time：110 ns
- Operating Temperature：-55°C~175°C TJ
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Series：STripFET™
- JESD-609 Code：e3
- Part Status：Obsolete
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：10
- ECCN Code：EAR99
- Resistance：2.5MOhm
- Terminal Finish：Matte Tin (Sn) - annealed
- Terminal Position：DUAL
- Terminal Form：GULL WING
- Peak Reflow Temperature (Cel)：250
- Reach Compliance Code：not_compliant
- Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：NOT SPECIFIED
- Base Part Number：STV200
- Pin Count：10
- Qualification Status：Not Qualified
- Configuration：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：300W
- Case Connection：DRAIN
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：2.5m Ω @ 75A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：4V @ 250μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：6800pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：100nC @ 10V
- Rise Time：150ns
- Vgs (Max)：±20V
- Fall Time (Typ)：50 ns
- Continuous Drain Current (ID)：200A
- Gate to Source Voltage (Vgs)：20V
- Drain to Source Breakdown Voltage：55V
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：800A
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 265
小計金額 $0.00000
類似スペック製品
サポートセンター
購入サービス
プライバシーと規約
Kynix について
お問合せ
