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画像はあくまで参考です。
FCA22N60N
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ON Semiconductor
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Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-3P-3, SC-65-3
- MOSFET N-CH 600V 22A TO-3PN
Date Sheet
在庫數 1080
- 1+： $7.00473
- 10+： $6.60823
- 100+： $6.23418
- 500+： $5.88130
- 1000+： $5.54840
小計金額 $7.00473
仕様 よくある質問
- Factory Lead Time：12 Weeks
- Contact Plating：Tin
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-3P-3, SC-65-3
- Number of Pins：3
- Weight：6.401g
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：22A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：205W Tc
- Turn Off Delay Time：49 ns
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：4V @ 250μA
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tube
- Series：SupreMOS™
- Published：2009
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Resistance：165mOhm
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：205W
- Case Connection：DRAIN
- Turn On Delay Time：16.9 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：165m Ω @ 11A, 10V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：1950pF @ 100V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：45nC @ 10V
- Rise Time：16.7s
- Drain to Source Voltage (Vdss)：600V
- Vgs (Max)：±30V
- Fall Time (Typ)：4 ns
- Continuous Drain Current (ID)：22A
- Threshold Voltage：3V
- Gate to Source Voltage (Vgs)：30V
- Drain to Source Breakdown Voltage：650V
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：66A
- Avalanche Energy Rating (Eas)：672 mJ
- Nominal Vgs：3 V
- Height：20.1mm
- Length：15.8mm
- Width：5mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 1080
- 1+： $7.00473
- 10+： $6.60823
- 100+： $6.23418
- 500+： $5.88130
- 1000+： $5.54840
小計金額 $7.00473
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