FCH22N60N

ON Semiconductor
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
TO-247-3
MOSFET N-CH 600V 22A TO-247
Date Sheet

在庫數 6

1+： $3.42004
10+： $3.22646
100+： $3.04383
500+： $2.87153
1000+： $2.70900

小計金額 $3.42004

仕様よくある質問

Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
Factory Lead Time：13 Weeks
Mount：Through Hole
Mounting Type：Through Hole
Package / Case：TO-247-3
Number of Pins：3
Weight：6.39g
Transistor Element Material：SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：22A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
Number of Elements：1
Power Dissipation (Max)：205W Tc
Turn Off Delay Time：49 ns
Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
Packaging：Tube
Series：SupreMOS™
Published：2008
JESD-609 Code：e3
Pbfree Code：yes
Part Status：Active
Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
Number of Terminations：3
ECCN Code：EAR99
Terminal Finish：Tin (Sn)
Peak Reflow Temperature (Cel)：NOT SPECIFIED
Reach Compliance Code：not_compliant
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：NOT SPECIFIED
Qualification Status：Not Qualified
Element Configuration：Single
Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
Power Dissipation：205W
Turn On Delay Time：16.9 ns
FET Type：N-Channel
Transistor Application：SWITCHING
Rds On (Max) @ Id, Vgs：165m Ω @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id：4V @ 250μA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：1950pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：45nC @ 10V
Rise Time：16.7ns
Vgs (Max)：±30V
Fall Time (Typ)：4 ns
Continuous Drain Current (ID)：22A
Threshold Voltage：3V
Gate to Source Voltage (Vgs)：30V
Drain to Source Breakdown Voltage：600V
Pulsed Drain Current-Max (IDM)：66A
Avalanche Energy Rating (Eas)：672 mJ
Height：21mm
Length：15.95mm
Width：5.03mm
REACH SVHC：No SVHC
RoHS Status：ROHS3 Compliant
Lead Free：Lead Free

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1+： $3.42004
10+： $3.22646
100+： $3.04383
500+： $2.87153
1000+： $2.70900

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