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画像はあくまで参考です。
FCH22N60N
-
ON Semiconductor
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-247-3
- MOSFET N-CH 600V 22A TO-247
Date Sheet
在庫數 38658
- 1+： $3.41031
- 10+： $3.21728
- 100+： $3.03517
- 500+： $2.86336
- 1000+： $2.70129
小計金額 $3.41031
仕様 よくある質問
- Factory Lead Time：13 Weeks
- Package / Case：TO-247-3
- Mounting Type：Through Hole
- Mount：Through Hole
- Number of Pins：3
- Weight：6.39g
- Transistor Element Material：SILICON
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：4V @ 250μA
- Turn Off Delay Time：49 ns
- Power Dissipation (Max)：205W Tc
- Number of Elements：1
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：22A Tc
- Published：2008
- Series：SupreMOS™
- Packaging：Tube
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Tin (Sn)
- Peak Reflow Temperature (Cel)：NOT SPECIFIED
- Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：NOT SPECIFIED
- Qualification Status：Not Qualified
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：205W
- Turn On Delay Time：16.9 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：165m Ω @ 11A, 10V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：1950pF @ 100V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：45nC @ 10V
- Rise Time：16.7ns
- Vgs (Max)：±30V
- Fall Time (Typ)：4 ns
- Continuous Drain Current (ID)：22A
- Threshold Voltage：3V
- Gate to Source Voltage (Vgs)：30V
- Drain to Source Breakdown Voltage：600V
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：66A
- Avalanche Energy Rating (Eas)：672 mJ
- Width：5.03mm
- Length：15.95mm
- Height：21mm
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- REACH SVHC：not_compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 38658
- 1+： $3.41031
- 10+： $3.21728
- 100+： $3.03517
- 500+： $2.86336
- 1000+： $2.70129
小計金額 $3.41031
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