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STF32NM50N
-
STMicroelectronics
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-220-3 Full Pack
- MOSFET N-Ch 500V 0.1 Ohm 22A MDmesh II MOS
Date Sheet
在庫數 79999
- 1+： $4.20522
- 10+： $3.96719
- 100+： $3.74263
- 500+： $3.53079
- 1000+： $3.33093
小計金額 $4.20522
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：NRND (Last Updated: 8 months ago)
- Package / Case：TO-220-3 Full Pack
- Mounting Type：Through Hole
- Mount：Through Hole
- Number of Pins：3
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：22A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Turn Off Delay Time：110 ns
- Power Dissipation (Max)：35W Tc
- Number of Elements：1
- Series：MDmesh™ II
- Packaging：Tube
- Operating Temperature：150°C TJ
- JESD-609 Code：e3
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Matte Tin (Sn) - annealed
- Base Part Number：STF32N
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：35W
- Case Connection：ISOLATED
- Turn On Delay Time：21.5 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：130m Ω @ 11A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：4V @ 250μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：1973pF @ 50V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：62.5nC @ 10V
- Rise Time：9.5ns
- Vgs (Max)：±25V
- Fall Time (Typ)：23.6 ns
- Continuous Drain Current (ID)：22A
- JEDEC-95 Code：TO-220AB
- Gate to Source Voltage (Vgs)：25V
- Drain to Source Breakdown Voltage：500V
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：88A
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Radiation Hardening：No
- Lead Free：Lead Free
在庫數 79999
- 1+： $4.20522
- 10+： $3.96719
- 100+： $3.74263
- 500+： $3.53079
- 1000+： $3.33093
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