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画像はあくまで参考です。
FDA20N50-F109
-
ON Semiconductor
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-3P-3, SC-65-3
- MOSFET N-CH 500V 22A TO-3P
Date Sheet
在庫數 49
- 1+： $1.48695
- 10+： $1.40278
- 100+： $1.32338
- 500+： $1.24847
- 1000+： $1.17781
小計金額 $1.48695
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
- Factory Lead Time：4 Weeks
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-3P-3, SC-65-3
- Number of Pins：3
- Weight：6.401g
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：22A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：280W Tc
- Turn Off Delay Time：100 ns
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tube
- Series：UniFET™
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- Additional Feature：FAST SWITCHING
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：280W
- Turn On Delay Time：95 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：230m Ω @ 11A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：5V @ 250μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：3120pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：59.5nC @ 10V
- Rise Time：375ns
- Vgs (Max)：±30V
- Fall Time (Typ)：105 ns
- Continuous Drain Current (ID)：22A
- Gate to Source Voltage (Vgs)：30V
- Drain to Source Breakdown Voltage：500V
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：88A
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
在庫數 49
- 1+： $1.48695
- 10+： $1.40278
- 100+： $1.32338
- 500+： $1.24847
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